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  • 20229-27
    微型真空探针台是如何工作的?

    微型真空探针台可以将电探针、光学探针或射频探针放置在硅晶片上,从而可以与测试仪器/半导体测试系统配合来测试芯片/半导体器件。这些测试可以很简单,例如连续性或隔离检查,也可以很复杂,包括微电路的完整功能测试。可以在将晶圆锯成单个管芯之前或之后进行测试。它还使制造商能够在封装之前测试管芯,这在封装成本相对于器件成本高的应用中很重要。微型真空探针台的作用是什么?探针台可以将电探针、光学探针或射频探针放置在硅晶片上,从而可以与测试仪器/半导体测试系统配合来测试芯片/半导体器件。这些测...

  • 20227-21
    磁控溅射技术原理及应用简介

    磁控溅射技术原理及应用简介一、磁控溅射原理磁控溅射是一种常用的物理气相沉积(PVD)的方法,具有沉积温度低、沉积速度快、所沉积的薄膜均匀性好,成分接近靶材成分等众多优点。传统的溅射技术的工作原理是:在高真空的条件下,入射离子(Ar+)在电场的作用下轰击靶材,使得靶材表面的中性原子或分子获得足够动能脱离靶材表面,沉积在基片表面形成薄膜。但是,电子会受到电场和磁场的作用,产生漂移,因而导致传溅射效率低,电子轰击路径短也会导致基片温度升高,为了提高溅射效率,在靶下方安装强磁铁,中央...

  • 20227-21
    对真空加热腔体你了解吗?

    真空加热腔体在真空柜的外壳内设置由板片制造的腔体,该腔体具有容室,前方具有开口,在开口处设置盖板,该盖板可盖合开口,该腔体连设抽气装置,可抽取腔体内的气体,该腔体容室位置为柱状弧形体;藉此当抽取本实用新型腔体内气体时,因腔体不具有平面及端角,可使腔体不同位置平均承受真空负压,防止腔体产生变形,本实用新型腔体板片厚度可小于现有腔体板片厚度即可具防止腔体变形功效,具有减小成本及重量的功效,且可便于焊接加工,具有较佳制造便利性。真空加热腔体相变换热原理:燃烧器将燃料充分燃烧,热量经...

  • 20226-27
    手动探针台维护和保养方法

    手动探针台主要应用于半导体行业、光电行业、集成电路以及封装的测试。广泛应用于复杂、高速器件的精密电气测量的研发,旨在确保质量及可靠性,并缩减研发时间和器件制造工艺的成本。探针台可吸附多种规格芯片,并提供多个可调测试针以及探针座,配合测量仪器可完成集成电路的电压、电流、电阻以及电容电压特性曲线等参数检测。适用于对芯片进行科研分析,抽查测试等用途。手动探针台维护和保养:1.避免碰撞:在安装,操作手动探针台时应避免碰撞,机体放置需平坦,不可倾斜或横倒,避免机器发生故障或异常异音。2...

  • 20226-16
    质量流量计为何要进行稳压补偿

    质量流量计为何要进行稳压补偿常用的流量计大多只能够直接测量流体的体积,并不能直接测量质量,如果只测量流体在当前工况下的体积时,质量流量计仪表可以直接显示出来。但是如果要求流量计显示为流体质量时,需要通过计算即时采样的流体体积参数与密度参数相乘的积而得出结果(质量=密度X体积)而并非直接测量出流体的质量。质量流量计作为流量仪表,它测量出来的数据一定要准确,如果要测量流体的质量时就涉及到一个问题:就是流体的密度是否恒定。如果流体的密度始终如一,那么只要把流体的密度参数固定在仪表上...

  • 20225-23
    气体配比器是用来做什么的?

    气体配比器是为气体分析、测试类仪器的标定、校准和检测的需求而开发的产品,能实时配制不同种类、不同浓度的的气体。很多场合包括实验室、环保企业、生物制药、环境监测、烟气分析、煤矿冶金等。是对已知标准浓度的气体进行稀释,气体稀释仪根据质量流量混合法,通过程序控制、实现全自动智能数字化气体稀释仪,其所有核心部件是质量流量控制器(MFC),这种装置质量可靠、是一种高精度、高分辨率的气体稀释系统。使用多个质量流量控制器准确控制流量,可动态稀释高浓度气体标准样品至所需低浓度样品,也可单独控...

  • 20225-9
    小型溅射仪镀膜后扫描电镜纺织纤维中的应用

    纤维(Fiber)是由连续或不连续的细丝组成的物质,可分为天然纤维和化学纤维。这两大类纤维被广泛应用于纺织[1]、环保[3]、生物医疗[4]等多个领域。由于纤维材料的表面物理形态和化学结构是决定材料性能的主要因素,通常需要利用相关的显微设备去观察纤维表面的微观形貌等信息,从而去判断纤维材料的基本性能。扫描电子显微镜作为一种常规的微观表征设备,其具有放大倍数大、分辨率高、景深大、图像清晰、立体感强等优点,当扫描电镜搭载能谱仪后还可以用于表征纤维成分信息,这在纤维的研发和生产中发...

  • 20224-26
    其实,你并不了解小型溅射仪

    小型溅射仪的工作原理是指电子在电场E的作用下,在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞,使其电离产生出Ar正离子和新的电子;新电子飞向基片,Ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶,并以高能量轰击靶表面,使靶材发生溅射。在溅射粒子中,中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜,而产生的二次电子会受到电场和磁场作用,产生E(电场)×B(磁场)所指的方向漂移,简称E×B漂移,其运动轨迹近似一条摆线。若为环形磁场,则电子就以近似摆线形式在靶表面做圆周运动,它们的运动路径不仅很长,而且被束缚在靠近靶表...

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