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三氧化二铝磁控溅射仪

简要描述:三氧化二铝磁控溅射仪KT-Z1650PVD为台式磁控溅射镀膜机在较短时间内即可形成具有细粒度的均匀薄膜。仪器结构紧凑,全自动控制。利用直流磁控溅射和射频磁控溅射技术,进行某传感器基底Al2O3薄膜绝缘层的制备工艺及性能研究,对于指导薄膜传感器工艺设计及应用的快速发展,具有十分重要的理论意义及较好的工程应用价值。

  • 产品型号:KT-Z1650PVD
  • 厂商性质:生产厂家
  • 更新时间:2022-04-25
  • 访  问  量:171
详细介绍
品牌郑科探溅射气体根据需求气体
控制方式φ50样品仓尺寸φ160x160mm
靶材尺寸50mm靶材材质金 铂 铜 银
价格区间1-5万产地类别国产
应用领域化工,电子

O2流量为0.8sccm1.0sccm1.2sccm时直流和射频制备的薄膜均呈透明状且表面均匀致密,常温下不同O2流量制备的Al2O3薄膜均为非晶态。  在单因素试验研究的基础上设计正交试验,继续深入研究直流、射频方法下,溅射靶功率、O2流量、工作气压的综合变化对Al2O3薄膜溅射沉积速率的影响,并对正交试验结果进行极差与方差分析。获取了较优的直流、射频薄膜制备工艺参数并进行薄膜的制备,对制备薄膜的沉积时间、薄膜表面粗糙度、薄膜的复合硬度进行检测并对比分析,选定了优化后的直流溅射工艺参数并实施Al2O3薄膜的制备。通过对制备的薄膜进行扫描电镜观测和能谱检测,验证了所选工艺参数的合理性。对常温下不锈钢基底上制备的Al2O3薄膜进行退火处理,测试分析退火温度对薄膜晶体结构影响,结果表明:与常温制备薄膜相比,退火温度800℃时出现γ-Al2O3晶体结构,奥氏体相消失,退火温度1000℃时出现α-Al2O3晶体结构和金属间化合物AlFe。  利用薄膜传感器的结构要求与传感器薄膜的性能要求探索了制备Al2O3绝缘膜的工艺方法,得出了溅射靶功率、O2流量、工作气压、负偏压和本底真空度等因素对直流和射频溅射沉积薄膜性能等的影响规律,改进并优化了Al2O3薄膜制备工艺,结合退火工艺得出了退火温度对Al2O3薄膜晶体结构的影响规律。

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             三氧化二铝磁控溅射仪KT-Z1650PVD


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应用领域:

离子溅射仪在扫描电镜中应用十分广泛,通过向样品表面喷镀金、铂、钯及混合靶材等金属消除不导电样品的荷电现象,并提高观测效率,另外可以使用喷碳附件对样品进行蒸碳,实现不导电样品的能谱仪元素定性和半定量分析。

   三氧化二铝磁控溅射仪KT-Z1650PVD厂家供应技术参数;

控制方式

7寸人机界面 手动 自动模式切换控制

溅射电源

直流溅射电源

镀膜功能

0-999秒5段可变换功率及挡板位和样品速度程序

功率

≤1000W

输出电压电流

电压≤1000V  电流≤1A

真空

机械泵 ≤5Pa(5分钟)   分子泵≤5*10^-3Pa

溅射真空

≤30Pa

挡板类型

电控

真空腔室

石英+不锈钢腔体φ160mm x 170mm

样品台

可旋转φ62  (可安装φ50基底)

样品台转速

8转/分钟

样品溅射源调节距离

40-105mm

真空测量

皮拉尼真空计(已安装 测量范围10E5Pa  1E-1Pa)

预留真空接口

KF25抽气口    KF16放气口   6mm卡套进气口




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